比较Si、SiC、GaN和蓝宝石在现代功率半导体器件中的适用性？
答案。
| 没有。 | 特性 | 硅 | SiC（3H）/SiC（6H） | 赣 | 蓝宝石 |
| 1. | 300K时的能隙（eV） | 1.12 | 2.23/2.9 | 3.2 | 5.47 |
| 2. | 最高工作温度（°C） | 300 | 873/1240 | 600 | 1100 |
| 3. | 300K时的迁移率 -电子 -洞 |
1350 430 |
1000/600 70 |
440 —– |
130-2010 |
| 4. | 击穿电场 | 0.25 – 0.3 | 4. | 3.3 | 10 |
| 5. | 熔点（℃） | 1414 | > 1800 | > 2800 | 3500 |
| 6. | 导热系数（W/m-K) | 149 | 500 | 130 | 2000 |
| 7. | 载流子漂移区的寿命（ns） | 1200 | 40 | 7. | 7. |
