| 没有。 | 特征 | 晶闸管 | MOSFET | IGBT |
| 1. | 设备类型 | 少数承运人 | 多数承运人 | 少数承运人 |
| 2. | 评级 | 非常高的电压，非常高的电流 | 中压大电流 | 高电压、大电流 |
| 3. | 开关频率 | 低的 | 非常高（~MHz） | 高（~100kHz） |
| 4. | 论国家放弃 | 低的 | 更高（增加） | 低的 |
| 5. | 论国家损失 | 低的 | 相当大的 | 小于MOSFET |
| 6. | 闸门驱动 | 电流驱动 | 电压驱动 | 电压驱动 |
| 7. | 驱动 | 单脉冲 | 连续电压和大电流G在开关转换时（否则，开关时间和开关损耗会增加） | 连续电压和大电流G在开关转换时（否则，开关时间和开关损耗会增加） |
| 8. | 关掉 | 线路或强制换向 | 门换向 | 门换向 |
| 9 | 组合（系列） | 副均压电路 | 困难的 | 困难的 |
| 10 | 组合（并行） | 旁路均流电路 | 很容易 | 困难的 |
| 11 | 可靠性 | 最健壮 | 不太健壮 | 强健的 |
| 12 | 崩溃 | 没有第二次崩溃 | 第二次崩溃的机会更小 | 没有第二次崩溃 |
| 13 | 灵敏度（温度） | 不太敏感 | 敏感的 | 更敏感 |
| 14 | 热失控 | 对 | 不 | 对 |
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