1.场效应晶体管是一种具有gydF4y2Ba

1. 高输入阻抗，电流控制gydF4y2Ba
2. 低输入阻抗，电压控制gydF4y2Ba
3. 高输入阻抗，电压控制gydF4y2Ba
4. 低输入阻抗，电流控制gydF4y2Ba

2.FET是_________可控器件。gydF4y2Ba

1. 电压gydF4y2Ba
2. 当前的gydF4y2Ba
3. 电阻gydF4y2Ba
4. 阻抗gydF4y2Ba

3.由于场效应管温度的升高，热跑道在场效应管中是不可能实现的gydF4y2Ba

1. 流动性增加gydF4y2Ba
2. 流动性降低gydF4y2Ba
3. 漏极电流降低gydF4y2Ba
4. trans-conductance增加gydF4y2Ba

4.当一个JFET被切断时，耗尽层是gydF4y2Ba

1. 远gydF4y2Ba
2. 近gydF4y2Ba
3. 触碰gydF4y2Ba
4. 进行gydF4y2Ba

5.计算了JFET在恒定V下的跨导gydF4y2Ba_DSgydF4y2Ba通过gydF4y2Ba

1. I的变化比gydF4y2Ba_DgydF4y2BaV的变化gydF4y2Ba_GSgydF4y2Ba
2. V的变化比gydF4y2Ba_GSgydF4y2Ba改变IgydF4y2Ba_DgydF4y2Ba
3. V变化量的乘积gydF4y2Ba_GSgydF4y2Ba改变IgydF4y2Ba_DgydF4y2Ba
4. V的变化比gydF4y2Ba_DSgydF4y2Ba改变IgydF4y2Ba_DgydF4y2Ba

6.JFET中漏极电流为零的栅极电压称为___________电压gydF4y2Ba

1. 饱和gydF4y2Ba
2. 夹止gydF4y2Ba
3. 活跃的gydF4y2Ba
4. 截止gydF4y2Ba

7.JFET的输出特性与___________阀的输出特性非常相似。gydF4y2Ba

1. 五极管gydF4y2Ba
2. 四极管gydF4y2Ba
3. 三极管gydF4y2Ba
4. 二极管gydF4y2Ba

8.JFET的恒流区位于两者之间gydF4y2Ba

1. 截止与饱和gydF4y2Ba
2. 切掉，掐掉gydF4y2Ba
3. 0,我gydF4y2Ba_DSSgydF4y2Ba
4. 夹止和故障gydF4y2Ba

9.JFET具有高输入阻抗是因为___________gydF4y2Ba

1. 它是由半导体材料制成的gydF4y2Ba
2. 输入是反向偏置的gydF4y2Ba
3. 杂质原子的gydF4y2Ba
4. 以上都不是gydF4y2Ba

10.MOSFET与JFET的主要区别在于___________gydF4y2Ba

1. 的额定功率gydF4y2Ba
2. MOSFET有两个门gydF4y2Ba
3. JFET有一个pn结gydF4y2Ba
4. 以上都不是gydF4y2Ba

11.场效应管放大器的增益可以通过改变来改变gydF4y2Ba

1. fgydF4y2Ba_米gydF4y2Ba
2. ggydF4y2Ba_米gydF4y2Ba
3. RgydF4y2Ba_dgydF4y2Ba
4. 这些gydF4y2Ba

12.在适当偏置条件下的JFETgydF4y2Ba

1. 电流控制电流源gydF4y2Ba
2. 压控电压源gydF4y2Ba
3. 压控电流源gydF4y2Ba
4. 阻抗控制电流源gydF4y2Ba

13.场效应晶体管的输入电阻为gydF4y2Ba

1. 100ΩgydF4y2Ba
2. 10 kΩgydF4y2Ba
3. 1米ΩgydF4y2Ba
4. 100ΩgydF4y2Ba

14.FET是哪种类型的器件?gydF4y2Ba

1. 4 .端子压控装置gydF4y2Ba
2. 3 .端子压控装置gydF4y2Ba
3. 3 .端子电流控制装置gydF4y2Ba
4. 2 .端子电流控制装置gydF4y2Ba

15.下面哪个关于场效应晶体管的陈述是错误的?gydF4y2Ba

1. 高输入阻抗gydF4y2Ba
2. 比BJT温度更稳定gydF4y2Ba
3. 电流控制gydF4y2Ba
4. 压控gydF4y2Ba

16.JFET可以在哪种模式下工作?gydF4y2Ba

1. 耗尽型只gydF4y2Ba
2. 增强型只gydF4y2Ba
3. 饱和状态只gydF4y2Ba
4. 噪声模式gydF4y2Ba

17.JFET的跨导几何平均值的阶数是多少?gydF4y2Ba

1. 1毫秒gydF4y2Ba
2. 1gydF4y2Ba
3. 100年代gydF4y2Ba
4. 1000年代gydF4y2Ba

18.场效应晶体管是gydF4y2Ba

1. 无论是单极的还是双极的gydF4y2Ba
2. 单极设备gydF4y2Ba
3. 双极型设备gydF4y2Ba
4. 这些gydF4y2Ba

19.用于制造FET的最常见的半导体是gydF4y2Ba

1. 砷化镓gydF4y2Ba
2. 砷化铟gydF4y2Ba
3. 砷化镓铟gydF4y2Ba
4. 硅gydF4y2Ba

20.在场效应晶体管中，电流流动主要是由于gydF4y2Ba

1. 多数航空公司gydF4y2Ba
2. 少数运营商gydF4y2Ba
3. 包括多数携带者和少数携带者gydF4y2Ba
4. 这些gydF4y2Ba