功率半导体二极管和晶体管MCQS

1.在二极管中，分别切割电压和正向电压降

  1. 0.7 V，0.7 V
  2. 0.7 V，1 V
  3. 0.7 V，0.6 V
  4. 1 V，0.7 V.

回答
回答。B.

2.二极管中的反向恢复电流取决于

  1. 存储费
  2. 前进现场电流
  3. p
  4. 温度

回答
回答。B.

3.电源MOSFET有三个终端称为

  1. 收藏家，发射器和基地
  2. 排水，来源和门
  3. 排水，来源和基础
  4. 收藏家，发射器和门

回答
回答。B.

4.与功率MOSFET相比，BJT有

  1. 更高的开关损耗和更高的传导损耗
  2. 降低开关损耗但导通损耗更高
  3. 降低开关损耗和降低导通损耗
  4. 更高的开关损耗但导电损耗较低

回答
回答。D.

5.选择正确的陈述

  1. MOSFET和BJT都是电压控制设备
  2. MOSFET是一个电压控制装置，而BJT是一个电流控制的装置
  3. MOSFET和BJT都是当前控制的设备
  4. MOSFET是一种当前受控装置，其中BJT是一个电压控制的装置

回答
回答。B.

6.选择正确的陈述

  1. MOSFET和BJT都具有负温度系数
  2. MOSFET和BJT都具有正温度系数
  3. MOSFET具有正温度系数，其中BJT具有负温度系数
  4. MOSFET具有负温度系数，其中BJT具有正温度系数

回答
回答。C

7.一个叫做三个终端的IGBT

  1. 排水，来源和基础
  2. 收藏家，发射器和基地
  3. 排水，来源和门
  4. 收藏家，发射器和门

回答
回答。D.

8.分别为软回收和快速恢复二极管的柔软因子

  1. 1，> 1
  2. <1,1
  3. 1,1.
  4. 1，<1

回答
回答。D.

9.一个叫做三个终端的MCT

  1. 排水，来源和门
  2. 收藏家，发射器和门
  3. 排水，来源和基础
  4. 阳极，阴极和门

回答
回答。D.

10.发生二次分解

  1. mosfet但不是在bjt
  2. Mosfet和BJT
  3. bjt但不是在mosfet中
  4. 以上都不是

回答
回答。C

11.在肖特基二极管的导通机制中

  1. 孔和电子都参加
  2. 只有持有可以参加
  3. 只有电子可以参加
  4. 都不是

回答
回答。C

12.一种用于射频范围内的感应硬化的半导体器件是

  1. MCT.
  2. Mosfet.
  3. BJT.
  4. IGBT.

回答
回答。B.

13.电路的高频操作受到限制

  1. 设备中的状态损耗
  2. 在设备中切换损耗
  3. 在设备中的状态损失
  4. 上述所有的

回答
回答。B.

14.以下哪种设备应用作低功耗开关模式电源（SMPS）中的开关？

  1. GTO.
  2. Mosfet.
  3. 三条第三件
  4. 晶闸管

回答
回答。B.

15.与BJT相比，MOSFET关闭关闭时间，使它们能够在高工作频率下运行。什么是可能归因于该财产的原因？

  1. MOSFET的漏电流较小
  2. MOSFET中没有少数群体存储费
  3. MOSFET的高输入阻抗
  4. MOSFET的正温度系数

回答
回答。B.

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