1.硅的贵宾是
- 4.
- 3.
- 5.
- 2
2.导通带和价带的重叠发生在
- 只有导体
- 仅限半导体
- 唯一的绝缘体
- 导体和半导体都是
3.锗中的电子空穴迁移率
- 2:1
- 1:1
- (2.8):1
- (1.2):1
4.与SI相比,GaAs有
- 更高的光电转换效率
- 自变砷的蒸气压力高,更容易生长晶体
- 由于化学计量增长难以困难的晶体质量较差
- 由于电子迁移率更高,因此信号速度越高
- 声明II和IV是正确的
- 声明I和III是正确的
- 声明I和III是正确的
- 声明II和III是正确的
5.考虑以下关于制造金属半导体接触整流的条件的陈述
- n型半导体,其工作函数大于金属的工作功能
- n型半导体,其工作函数小于金属的工作功能
- P型半导体,其工作函数大于金属的工作功能
- P型半导体,其工作功能小于金属的工作功能
- 声明II和IV是正确的
- 声明I和IV是正确的
- 声明I和III是正确的
- 声明II和III是正确的
6.哪种材料具有负温度系数?
- 黄铜
- 铜
- 铝
- 碳
7.如果纯硅试样的温度升高,则
- 仅自由电子增加数量
- 只有空闲孔的数量增加。
- 自由孔数量和自由电子增加
- 只有自由孔的数量减少
在纯半导体中的热平衡下,孔数与传导电子的数量的比率是
- 0.5
- 无限
- 1
- 2
9.以下哪种材料是半导体?
- 铬
- 硒
- 铋
- 二氧化硅
10.在半导体中,电阻率
- 取决于温度
- 取决于电压
- 取决于电流通过它
- 以上都不是
11.在能量水平图中,导带和价带之间的分离是什么?
- 禁止能差
- 导带
- 价带
- 能源乐队
12.硅的原子序数是
- 6.
- 14.
- 22.
- 30.
13.导致导通带中的电子流量的电流是
- 少于孔电流在价带中
- 等于价带中的孔电流
- 在价带中大于孔电流
- 等于传导带内的孔电流
14.如果锗的原子序为32,最外壳中的电子数将是
- 2
- 3.
- 4.
- 6.
15.锗晶二极管的逆阻和正向电阻的比例约为
- 1:1
- 100:1
- 1000:1
- 40000:1
16.半导体材料具有
- 离子键
- 共价键
- 相互债券
- 金属键
17.在0 k处放置时的半导体将充当
- 绝缘子
- 导体
- 半导体
- 金属
18. SI原子的电子分布
- 2,10,2
- 2,8,4.
- 2,7,5.
- 2,4,8
19.较高范围的电阻主要是由
- 碳
- 铝
- 硅
- 锗
20.根据自由电子理论,金属中的电子进行
- 恒定潜力
- 正弦潜力
- 方波电位
- 无周期性潜力
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