1.当n-MOSFET中的漏极电压为负时，它在

1. 活动区
2. 非活动区
3. 欧姆区
4. 反应区

2.MOSFET用作线性电阻器和线性放大器的工作区域如下：

1. 分别为截止和饱和
2. 三极管和截止管
3. 三极管和饱和管
4. 饱和三极管

3.两个MOSFET M_1.和M_2.并联连接，总电流为20A。M的漏源极电压_1.是2.5V，是M的_2.是3V。M的漏电流是多少_1.和M_2.均流串联电阻均为0.5Ω时？

1. 10.5 A和9.5 A
2. 9.5 A和10.5 A
3. 10.5 A和10.5 A
4. 9.5 A和9.5 A

4.与BJT相比，MOSFET的较低关断时间可归因于以下哪一项？

1. 输入阻抗
2. 正温度系数
3. 缺少少数群体携带者
4. 论状态电阻

5.MOSFET和BJT在I-V特性方面的主要区别是什么？

1. 电流是V的平方_GS对于MOSFET，与V线性_是BJTs
2. 电流与V成线性关系_GS对于MOSFET和V_是BJTs
3. 电流与V成指数关系_GS/五_是在这两种器件中，MOSFET的上升速度更快
4. 电流是V的平方_GS对于MOSFET和V_是BJTs

6.当界面电荷为3×10时，n沟道MOSFET的修正功函数为-0.85v^-4C/m^2.氧化物电容为300μF/m^2.，平带电压为

1. -1.85伏
2. -0.15伏
3. +0.15伏
4. +1.85伏

7.增强模式与以下哪一项连接？

1. 隧道二极管
2. MOSFET
3. 光电二极管
4. 变容二极管

8.MOSFET开关在其导通状态下可被视为等效于

1. 电阻
2. 电容器
3. 感应器
4. 电池

9以下哪一对不正确匹配？

1. MOSFET–单极器件
2. BJT–开关功率损耗
3. MOSFET–高导通状态传导功率损耗
4. IGBT–压控器件

10识别有关功率MOSFET的错误陈述。

1. 其构造应避免穿孔
2. 通道长度相对较大，通道宽度相对较小
3. 它们不会经历任何少数电荷载流子存储
4. 这些可以并联处理大电流

11栅极连接到漏极的E-MOSFET就是一个例子

1. 三端装置
2. 主动载荷
3. 被动负载
4. 开关装置

12以下哪种设备彻底改变了计算机行业？

1. JFET
2. D-MOSFET
3. E-MOSFET
4. 功率元件

13D-MOSFET可以在相同的温度下工作

1. 仅限耗尽模式
2. 仅增强模式
3. 耗尽模式还是增强模式
4. 低阻抗模式

14对于耗尽型MOSFET的操作，保持栅极电压

1. 积极乐观的
2. 高度肯定
3. 零
4. 消极的

15MOSFET可以用作

1. 电阻
2. 电容器
3. 转换
4. 所有这些

16MOSFET最常用的绝缘层材料是

1. 地理位置_2.
2. 艾尔_2.O_3.
3. 像_2.O_5.
4. 硅_2.

17动态存储单元是使用

1. 晶体管
2. 人字拖鞋
3. MOSFET
4. 费茨

18MOSFET可以用作

1. 电流控制电容器
2. 压控电容器
3. 电流控制电感器
4. 压控电感器

19由于短沟道MOSFET的几何形状，下列哪些参数受到影响

1. 载体的移动性
2. 阈值电压
3. 漏电流

1. 只有我
2. 只有二
3. 我和我
4. i、 二、三

20有源负载MOS差分电路具有以下哪项特性？

1. 高共模抑制比
2. 低共模抑制比
3. 高延迟
4. 高微分增益