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1.在晶闸管

自锁当前我_l，与关断过程和保持电流I有关_H与启动过程相关。
我_H是与关闭过程相关的，而我_l与启动过程有关吗
这两个我_l和我_H与关闭过程有关吗
这两个我_l和我_H与启动过程有关吗

回答

的答案。b

2.可控硅的关闭时间从瞬间开始测量

阳极电流为零
门电流为零
阳极电压为零
阳极电压和电流同时为零

回答

的答案。一个

3.通过可控硅连接缓冲电路的目的是

抑制dv / dt
增加dv / dt
减少dv / dt
保持瞬态过电压在一个恒定值

回答

的答案。一个

4.对于正常可控硅，开启时间为________关闭时间。

不到
等于
超过
大约一半的

回答

的答案。一个

5.连接可控硅是为了满足可控硅

高电压需求
高电流需求
高电压和高电流都需要
防止高di/dt

回答

的答案。一个

6.下面哪个陈述是正确的?

保持电流是晶闸管停止导通的最小栅极电流。
锁存电流是保持晶闸管处于通电状态所需的最小通电栅极电流。
保持电流是阳极电流的最小值，低于此值晶闸管停止导电
锁存电流是晶闸管停止导通的最小电流。

回答

的答案。c

7.晶闸管的高di/dt保护技术

电感与可控硅串联
在可控硅上提供缓冲电路
可控硅中提供散热片
压敏电阻连接在可控硅上

回答

的答案。一个

8.下列哪一种条件导致晶闸管连续?

高阻值
电感或电容值高
电感值高
高电容值

回答

的答案。c

9.在可控硅反向阻塞模式

J1、J2和J3反向偏置
j1和J2是正向偏置，而J3是反向偏置
J1和J3是反向偏置，而J2是正向偏置
J1是正向偏置，而J2和J3是反向偏置

回答

的答案。c

10.下列哪一种条件必须用于避免可控硅局部热点?

在可控硅上施加反向电压
施加低于保持电流的阳极电流
使用低(di/dt)值
在接通时间内施加更高的栅极电流

回答

的答案。c

11.可控硅开关有以下几种?

直流开关
AC开关
方波开关
矩形波开关

回答

的答案。一个

12.考虑可控硅这种半控制器件的原因是什么?

可控硅可以用门脉冲打开，但不能关闭
可控硅只能在交流电的半个周期内打开
可控硅可以用门通关闭，但不能打开
可控硅只能在交流电的半个周期内关闭

回答

的答案。一个

13.对于可控硅，当电阻器通过其栅极和阴极连接时，下列哪项增加?

可控硅的dv/dt额定值
可控硅保持电流
可控硅抗噪性
可控硅的关闭时间

回答

的答案。c

14.在可控硅中，如果栅极电流减半，它将如何影响阳极电流?

阳极电流减半
阳极电流会加倍
栅极电流对阳极电流没有影响
阳极电流将变为零

回答

的答案。c

15.为什么可控硅不能关闭，即使是在导电模式和反向电压施加在阳极和阴极之间?

正电压作用于栅极
反向电压小
阳极电流大于保持电流
可控硅的关断时间大

回答

的答案。c

16.在可控硅中，浪涌电流为

重复电流与正弦波
矩形波的非重复电流
矩形波的非重复电流
矩形波的重复电流

回答

的答案。c

17.可控硅的保持电流最好描述为

关断所需的最小电流
可控硅开启前所需的电流
维持传导所需的量
维持导通所需的栅极电流

回答

的答案。c

18.可控硅的开启时间可以通过使用

高振幅窄宽度矩形脉冲
低幅度宽宽度矩形脉冲
三角脉冲
梯形脉冲

回答

的答案。一个

19.在正向阻塞状态下，可控硅有

低电流，中等电压
电流小，电压大
中电流，大电压
电流大，电压低

回答

的答案。b

20.如果可控硅的栅极电流增加，正向击穿电压V_博士将

增加
减少
不会受到影响
无限

回答

的答案。b

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